Dotychczasowe konstrukcje laserów emitujących zielone światło mają ograniczoną wydajność, moc i żywotność. Już niebawem może się to jednak zmienić za sprawą nowatorskiej technologii rozwijanej przez naukowców korzystających z dofinansowania UE.
Azotek galu (GaN) to półprzewodnik krystaliczny, którego wyjątkowe
właściwości optoelektroniczne otworzyły drogę do stworzenia zielonych
laserów. Udało się już zbudować układy z azotku indowo-galowego (InGaN)
działające w przedziale widma odpowiadającemu światłu zielonemu
(długości fali od 510 do 570 nm). Pomimo niedawnych postępów nadal
bardzo trudno jest tworzyć na bazie InGaN wysokiej jakości diody
elektroluminescencyjne (LED) do laserów.
Naukowcy zajęli się podstawami technicznymi obecnych niedociągnięć, korzystając z dofinansowania UE dla projektu
SINOPLE.
Badacze wykorzystali metodę epitaksji z wiązki molekularnej (MBE) do
osadzania aktywnych warstw InGaN o wysokiej zawartości indu na prawie
całkowicie wolnych od dyslokacji monokryształach GaN. Metoda MBE nie
była wcześniej używana do osadzania warstw z dużą zawartością indu, jaka
jest niezbędna w przypadku emiterów zielonego światła. Brakowało też
szczegółowych informacji na temat heterostruktur łączących GaN i InGaN o
dużej zawartości indu.
Badaczom udało się uzyskać epitaksjalne osadzanie InGaN o zawartości
indu do 20% na różnego rodzaju podłożach metodą MBE. Między innymi
pomyślnie zastosowano InGaN na tlenku cynku. Przed stworzeniem nowych
układów badacze opracowali bardzo czułą metodę określania fluktuacji
zawartości indu z wykorzystaniem transmisyjnego mikroskopu
elektronowego, uzyskując bezprecedensową dokładność.
Stworzono szereg laserów w zakresie ultrafioletu oraz światła
niebieskiego i zielonego. Nowatorski system MBE pozwolił wykonywać
wyższej jakości warstwy InGaN, a przy okazji ustanowić rekord dla
elektrycznie pompowanych diod laserowych z azotku osadzanego metodą MBE w
postaci emisji fal o długości 482 nm.
Badaczom udało się też stworzyć diody laserowe o fali ciągłej o
długości fali 450 nm, mocy 60 mW i żywotności przekraczającej
5000 godzin. Wyniki pokazują, że metoda MBE może śmiało konkurować z
tradycyjnym osadzaniem związków metaloorganicznych z fazy gazowej
(MOCVD). Nowa technika jest przy tym bardziej elastyczna od MOCVD pod
względem temperatury przetwarzania i możliwych podłoży.
Projekt SINOPLE przyczynił się znacznego poszerzenia wiedzy na temat
wytwarzania laserów z zielonymi diodami LED o większej wydajności, mocy
i żywotności. Potencjał zastosowań tych niedostępnych dotychczas źródeł
światła spójnego jest ogromny. Już wkrótce możemy się spodziewać
zaskakujących nowych produktów w dziedzinach sięgających od wyświetlaczy
i telewizorów po biomedycynę.