Dotychczasowe konstrukcje laserów emitujących zielone światło mają ograniczoną wydajność, moc i żywotność. Już niebawem może się to jednak zmienić za sprawą nowatorskiej technologii rozwijanej przez naukowców korzystających z dofinansowania UE.
 
Azotek galu (GaN) to półprzewodnik krystaliczny, którego wyjątkowe 
właściwości optoelektroniczne otworzyły drogę do stworzenia zielonych 
laserów. Udało się już zbudować układy z azotku indowo-galowego (InGaN) 
działające w przedziale widma odpowiadającemu światłu zielonemu 
(długości fali od 510 do 570 nm). Pomimo niedawnych postępów nadal 
bardzo trudno jest tworzyć na bazie InGaN wysokiej jakości diody 
elektroluminescencyjne (LED) do laserów.
Naukowcy zajęli się podstawami technicznymi obecnych niedociągnięć, korzystając z dofinansowania UE dla projektu 
SINOPLE.
 Badacze wykorzystali metodę epitaksji z wiązki molekularnej (MBE) do 
osadzania aktywnych warstw InGaN o wysokiej zawartości indu na prawie 
całkowicie wolnych od dyslokacji monokryształach GaN. Metoda MBE nie 
była wcześniej używana do osadzania warstw z dużą zawartością indu, jaka
 jest niezbędna w przypadku emiterów zielonego światła. Brakowało też 
szczegółowych informacji na temat heterostruktur łączących GaN i InGaN o
 dużej zawartości indu.
Badaczom udało się uzyskać epitaksjalne osadzanie InGaN o zawartości
 indu do 20% na różnego rodzaju podłożach metodą MBE. Między innymi 
pomyślnie zastosowano InGaN na tlenku cynku. Przed stworzeniem nowych 
układów badacze opracowali bardzo czułą metodę określania fluktuacji 
zawartości indu z wykorzystaniem transmisyjnego mikroskopu 
elektronowego, uzyskując bezprecedensową dokładność.
Stworzono szereg laserów w zakresie ultrafioletu oraz światła 
niebieskiego i zielonego. Nowatorski system MBE pozwolił wykonywać 
wyższej jakości warstwy InGaN, a przy okazji ustanowić rekord dla 
elektrycznie pompowanych diod laserowych z azotku osadzanego metodą MBE w
 postaci emisji fal o długości 482 nm.
Badaczom udało się też stworzyć diody laserowe o fali ciągłej o 
długości fali 450 nm, mocy 60 mW i żywotności przekraczającej 
5000 godzin. Wyniki pokazują, że metoda MBE może śmiało konkurować z 
tradycyjnym osadzaniem związków metaloorganicznych z fazy gazowej 
(MOCVD). Nowa technika jest przy tym bardziej elastyczna od MOCVD pod 
względem temperatury przetwarzania i możliwych podłoży.
Projekt SINOPLE przyczynił się znacznego poszerzenia wiedzy na temat
 wytwarzania laserów z zielonymi diodami LED o większej wydajności, mocy
 i żywotności. Potencjał zastosowań tych niedostępnych dotychczas źródeł
 światła spójnego jest ogromny. Już wkrótce możemy się spodziewać 
zaskakujących nowych produktów w dziedzinach sięgających od wyświetlaczy
 i telewizorów po biomedycynę.